daf811a/k ... daf814a/k (1.2 w) daf811a/k ... daf814a/k (1.2 w) rectifier arrays gleichrichters?tze version 2011-07-08 dimensions - ma?e [mm] nominal power dissipation nenn-verlustleistung 1.2 w repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 100...400 v 9-pin plastic case 9-pin kunststoffgeh?use 23 x 2.6 x 4.5 [mm] weight approx. C gewicht ca. 0.6 g standard packaging bulk standard lieferform lose im karton daf811k...daf814k common cathodes / gemeinsame kathoden daf811a...daf814a common anodes / gemeinsame anoden maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] 1 ) surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] 1 ) da811a/k 100 120 da814a/k 400 480 max. power dissipation C max. verlustleistung t a = 25c p tot 1.2 w 1 ) max. average forward rectified current, r-load for one diode operation only for simultaneous operation t a = 25c i fav i fav 600 ma 2 ) 150 ma 2 ) dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last fr eine einzelne diode bei gleichzeitigem betrieb beider dioden t a = 25c i fav i fav 600 ma 2 ) 150 ma 2 ) peak forward surge current, 50 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 30 a junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c 1 per diode C pro diode 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 3 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 9 8 4 2 6 7 5 3 1 9 8 4 2 6 7 5 3 1 2.6 0.2 4 . 5 8 x 2.54 0 .25 6 . 5 0 . 2 2 type / typ
daf811a/k ... daf814a/k (1.2 w) characteristics kennwerte forward voltage durchlass-spannung t j = 25c i f = 1 a v f < 1.3 v 1 ) leakage current sperrstrom t j = 25c t j = 100c v r = v rrm v r = v rrm i r i r < 10 a < 90 a reverse recovery time sperrverzug i f = 10 ma through/ber i r = 10 ma to i r = 1 ma t rr < 350 ns thermal resistance junction to case w?rme widerstand sperrschicht C geh?use r thjc < 85 k/w 2 ) 1 per diode C pro diode 2 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 3 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 30a-(1a-1.3v)
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